化學機械研磨
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化學研磨(CMP)

完成了化學機械研磨(CMP)的流體數值模擬[1],該成果品首創使用研
磨液表面剪力的晶圓尺度平均值及非均勻度以模擬晶圓在CMP之研磨率及
非均勻度,並由模擬成果可預測8吋及30Omm(12吋)晶圓之最佳研磨墊轉
速及品圓轉速,該成果一方面提供了對CMP更深入且系統化的認識,也可
用以分析製程性能及預測最佳之工作參數。
完成了化學機械研磨(CMP)的研磨液流體實驗模擬[2,3],找出通用
的最佳之研磨液注入位置及注入速率等工作參數,也可用以分析製程性能
及預測300mm(12吋)或更大尺寸品圓之最佳工作參數。

1. M.N. Fu and F.C. Chou, 1999. Flow simulation for chemical mechanical 
planarization, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38, pp. 4709-4714. (NSC 87- 
2212-E008021), (SCI, Impact Factor: 1.275) 
2. F.C. Chou and M.N. Fu, 2000, A general optimization for slurry 
injection during chemical mechanical planarization, accepted bJ J. 
Electrochem. Sec. for publication.