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利定東 教授 Li Ting Tung
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E2-204
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03-4254501
E-mail: tomili@ncu.edu.tw

學經歷 (Education & Experiences)
  學歷(Education):
美國密西根州立大學無機化學與材料所博士 (Ph.D., Michigan State University, USA)

經歷(Experience):
Professor, National Central University, 2007-present
Consultant, ITRIMIRDC 2007-2011
Sr. Director, Applied Materials USA 1991-2007
Product General Manager, Applied Materials China 2000-2004
Visiting professor, San Jose State University, USA 1999-2000
Manager, Digital Equipment Corp. USA 1985-1991
Research scientist, IBM, USA, 1984-1985
 

教授課程 (Courses Taught)
  太陽能光電設備及製程整合Ⅰ&Ⅱ
半導體設備及製程整合Ⅰ&Ⅱ
 

研究專長 (Research Areas)
  IC半導體技術及製程整合

Si Thin Film Solar and Process, Semiconductor 3DIC Process Integration, IC and Solar Equipments, Nano Technology, MOCVD heater key components design and simulation
 

實驗室 (Laboratory)
  薄膜太陽能設備實驗室 E2-415  

論文著作 (Publications) (僅列出最近五筆資料) ※ 瀏覽更多論文著作
題目 作者姓名 期刊名稱 出版
年份
期別及
起訖頁數
期刊種類
Magnetic field resonance and pressure effects on epitaxial thin film deposition and in situ plasma diagnostics C. R. Yang, C. H. Yeh, L. C. Hu, T. C. Wei, C. C. Lee; J. Y Chang; and Tomi. T. Li1* Plasma Chemistry and Plasma Processing 2018 38(1),pp 247–259.
Structural and electrical investigations of a-Si:H(i) and a-Si∶H(n+) stacked layers for improving the interface and passivation qualities Yu-Lin Hsieh, Chien-Chieh Lee, Chia-Cheng Lu, Yiin-Kuen Fuh, Jenq-Yang Chang, Ju-Yi Lee and Tomi T. Li* J. of Photonics for Energy 2017 7(3),035503
Numerical Verification of Gallium Nitride Thin-Film Growth in a Large MOCVD Reactor Chih-Kai Hu, Chun-Jung Chen, Ta-Chin Wei, Tomi T. Li *, Chih-Yung Huang , Chu-Li Chao, Yi-Jiun Lin Coatings 2017 7(8), pp.112-121.
Investigation of a Simplified Mechanism Model for Prediction of Gallium Nitride Thin Film Growth through Numerical Analysis Chih-Kai Hu ,Chun-Jung Chen,Ta-Chin Wei ,Tomi T. Li *,Ching-Chiun Wang and Chih-Yung Huang Coatings 2017 7(3), pp. 43-66.
Investigation of intrinsic hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin films on textured silicon substrate with high quality passivation Min-Lun Yu, Yu-Lin Hsieh, Sheng-Kai Jou Tomi T. Li* and Chien-Chieh Lee IEEE Xplore, (CSTIC2017) 2017 pp 1-3

研究計畫 (Research Projects) (僅列出最近五筆資料) ※ 瀏覽更多研究計畫
工作類別 姓名 計畫名稱 執行期限 補助單位 金額
科技部計畫 利定東教授(共同主持人) 下世代3DIC兆聲波濕式清潔關鍵技術 2015-11-01 ~
2016-10-31
科技部 1,514,000
產學合作 利定東教授(共同主持人) 以即時製程監控關鍵技術進行電漿輔助化學氣相沉積設備開發及製程最佳化 2015-06-01 ~
2016-05-31
馗鼎奈米科技股份有限公司 1,320,000
科技部計畫 利定東(共同主持人) MOCVD關鍵零組件技術開發暨人才培育 2015-01-01 ~
2016-03-31
科技部 12,000,000
科技部計畫 利定東教授(共同主持人) 綠色光源模組及應用系統之技術服務平台 2015-02-01 ~
2016-01-31
科技部 2,150,000
科技部計畫 利定東教授(共同主持人) 提升白光OLED性能之創新元件設計與製程技術研發 2015-01-01 ~
2015-12-31
科技部 9,454,000

榮譽事蹟 (Honors and Awards)
  (1) Tomi Li, 3 2007, “Proceedings of 6th International Conference on Semiconductor Technology (ISTC),”大會主持人Conference Chair and共同主編Co-Editor of 6th ISTC Proceedings (ESC-Asia), Volume2007-1, ISBN:988-98844-4-5, ECS, Shanghai, China, March 18-20, 2007.


(2) Tomi Li, 32006, “ Proceedings of 5th International Conference on Semiconductor Technology,”大會共同主持人Conference Co-chair, ECSAsia ISTC Conference, Shanghai, China, March 2006


(2) 利定東, “太陽能高科技產業論壇’, 大會主持人,中壢,中央大學,112008


(3) 利定東, “薄膜太陽能電池技術論壇”, 大會主持人,中壢,中央大學,102009


(3) Tomi Li, 32010, Steering Committee 大會指導委員“ 9th ECSSEMI China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC)”, Shanghai, China, March, 2010


(4) Tomi Li, 32010, Invited Talk, “ Solar Cell Technologies and Trends” on 9th ECSSEMI China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC)” Shanghai, China, March 18-19, 2010


(5) Tomi Li, 112008, Invited Talk, “Thin Film Solar Cell Research Project at NCU ” on “Indo-Taiwan (台印) workshop on Solar Cell and Fuel Cells”, New Delhi, India, November 24-26, 2008


(6) Tomi Li, I-C Chen and J-Y. Chang, 72009, Invited Talk “ Thermal Annealing Study on a-Si-, nc-Si,μc-Si solar thin film grown by electron cyclotron chemical vapor deposition” on “10th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes ISSP 2009”, Kanazawa, Japan, July 8-10, 2009


(7) Tomi Li, I-C Chen and J-Y. Chang 112009, Keynote Speaker “ Thermal Treatment on Solar Thin Film Grown by ECRCVD” on “Taiwan-Japan (台日)Joint workshop on PV” HsinChu, Taiwan, November 27, 2009


(8) Tomi Li, I-C Chen and J-Y. Chang, 42010, Invited talk “Si Solar thin film study on a-Si-, nc-Si and μc-Si grown by electron cyclotron chemical vapor deposition” on “8th 兩岸三地先進製造技術研討會 2010” Taipei, Taiwan, April 26-27, 2010


(9) Tomi Li, 102010, Invited talk, “Si Solar Thin Film Deposition and its thermal Study from ECRICP CVD” on 2010 PV Taiwan, Taipei, October 27, 201010


(10) Tomi Li, 52010, Invited talk “太陽能電池技術與趨勢 on 2010年兩岸科技論壇, Taipei, Taiwan. May 21, 2010


(11) Tomi Li, 52010, invited talk “Solar Technology and Challenges” on NDL 2010 奈米元件技術研討會, HsinChu, Taiwan, May 4, 2010


(12) 利定東, “薄膜太陽能電池設備系統研討會”, 主持人,中壢,中央大學,10152010


(13) 利定東, “具時效性FPD製程設備及零組件國際技術研討會”大會主持人, 金屬中心經濟部工業局, Taipei, Taiwan, May 21-22, 2007


(14) Tomi Li , 122010, Keynote Speaker “Solar Technologies and their Future Aspect” 2010綠色科技國際研討會(ICGT 2010), Pintung, October 6, 2010


(15) Tomi Li , 122010, Invited talk “ Solar Technology and Challenges” on 台功_科大2009能源與太陽能光電研討會, Taipei, Taiwan, December 18, 2009


(16) 利定東, 112007, Invited talk “三維晶粒堆疊封裝技術-3D IC Technology and Challenges” on 半導體封測產業-先進構裝製程技術研討會, 高雄第一科大, Kaohsiung, Taiwan, November 12, 2007


(17) 利定東, 11262010, invited talk“矽薄膜太陽能電池” 成大太陽光電�n綠能科及產業研討會, Tainan, December, 2010


(18) 2012 年度半導體光電製程設備零組件與系統設計專題競賽「可用於ECR 強磁場之即時性薄膜製程電漿特性量測探針」,冠軍。指導學生:胡立成、阮冠閔、王芊茹。


(19) 2013 年度半導體光電製程設備零組件與系統設計專題競賽「加熱載台溫度分析優化暨實作驗證」,最佳實作獎。指導學生:邱顯智、胡智愧_、簡宏益、廖奕鈞


(20) 2014 智慧型半導體光電製程設備與PCB 系統設計競賽「搭載智慧化系統之高溫腔體實作驗證」,佳作。指導學生:邱顯智、胡智愧_、簡宏益、廖奕鈞。


(21) 2014 年度半導體光電製程設備零組件與系統設計專題競賽「可用於電漿輔助化學氣相沉積設備之整合性電漿診擺_技術研究」,佳作。指導學生:胡立成、林育緯、楊繼仁。


(22) 2014 產業先進設備專題實作競賽「搭載智慧化系統之高溫腔體實作驗證」,第三名。指導學生:邱顯智、胡智愧_、簡宏益、廖奕鈞


(23) 2014,利定東教授與李朱育教授所屬團隊編撰之"光機電產業設備系統設計"書籍獲2014優良教材佳作


(24) Patent: Tomi T. Li, Jeng-Yang Chang, Sheng-Hui Chen, Cheng-Chung Lee,Method for manufacturing silicon thin-film solar cells” US 8,679,892 B2,


(25) Patent: Sheng-Huei Chen, Cheng-Chong Li, Ting-Tung Li and Jeng-YangChang“高效率漸進能隙之單層矽薄膜太陽能電池” (Graded Bandgap HighEfficiency Silicon Thin Film Solar Cell) ,US and ROC, in process


(26) Patent: 戴涪、利定東、戴致陽、葉映雲, "電漿源系統及包含該電漿源系統之半導體處理設備", 中華民國專利編號201106805.


(27) 2017年 擔任 Current Alternative Energy, Int J Heat Mass Transfer, Physica Status Solidi B: Basic Solid State Physics.等期刊reviewer.
 

專利 (Patents) (僅列出最近五筆資料) ※ 瀏覽更多專利
類別 專利申請案件名稱 國別 發明人 提申案號/證書號/權利期間 專利簡介
新型專利 PLASMA SOURCE SYSTEM AND SEMICONDUCTOR PROCESSING EQUIPMENT INCLUDING THE SAME 中華民國 戴涪、利定東、戴致陽、葉映雲 098126945
201106805
201102~202602
本發明提供一種電漿源系統,其中包含一真空電漿反應艙、一偏極化橢圓形導波管、一磁 場產生器以及一電磁波產生器。該偏極化橢圓形導波管將橫向電場模式偏極化微波導入真 空電漿反應艙。該磁場產生器所提供的靜磁場可產生電子迴旋共振效應,以游離真空電漿 反應艙中的反應氣體。該電磁波產生器係藉由產生射頻電磁波效應游離真空電漿反應艙中 的反應氣體。受上述兩種效應游離的反應氣體經過混合,可成為高密度的電漿源。
新型專利 Method for manufacturing silicon thin-film solar cells USA Tomi T. LI, Jeng-Yang Chang, Sheng-Hui Chen, Cheng-Chung Lee 13/343,373
US 8,679,892 B2
201403~203403
The present invention relates to a method for manufacturing silicon thin-flm solar cells, including: providing a substrate; forming a first electrode on the substrate; forming a first doped semiconductor layer on the first electrode by chemical vapor deposition; forming an intrinsic layer on the first doped semiconductor layer by chemical vapor deposition, Where the intrinsic layer includes a plurality of amorphous/nanocrystal line silicon layers, and the intrinsic layer has various energy bandgaps formed by varying average grain siZes of the amor phous/nanocrystalline silicon layers; forming a second doped semiconductor layer on the intrinsic layer by chemical vapor deposition, Where one of the first doped semiconductor layer and the second doped semiconductor layer is a p-type amor phous silicon layer and the other is an n-type amorphous/ nano-microcrystalline silicon layer; and forming a second electrode on the second doped semiconductor layer. Accord ingly, the present invention can achieve broadband absorption in a single junction structure.
發明 矽薄膜太陽能電池之製備方法 中華民國 利定東, 張正陽, 陳昇暉, 李正中 100101245
TW I437721 B
20140511~20310113
本發明係有關於一種矽薄膜太陽能電池之製備方法,其包括:提供一基板;形成一第一電極於該基板上;藉由化學氣相沉積法,形成一第一摻雜半導體層於該第一電極上;藉由化學氣相沉積法,形成一本質層於該第一摻雜半導體層上,其中該本質層包含複數個非晶/奈米晶矽層,而該本質層係藉由變化該些非晶/奈米晶矽層之平均晶粒尺寸而具有不同能隙;藉由化學氣相沉積法,形成一第二摻雜半導體層於該本質層上,其中第一摻雜半導體層與第二摻雜半導體層中之其中一者為p型非晶矽層,而另一者為n型非晶/奈微晶矽層;以及形成一第二電極於該第二摻雜半導體層上。據此,本發明可於單接面結構中達到擴展吸收光譜之目的。

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